Младший научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов ИФМ РАН

Страна: Россия;

Город: Афонино, Нижегородская область

Добавлена: 30.06.2016

Работодатель: Институт физики микроструктур РАН

Тип: PhD position; Vacancy for students or masters;

Для кого: For researchers;

Телефон и контактное лицо: Телефон для справок: 4179465, 4179461, факс 4179464 e-mail: es@ipmras.ru

Дедлайн подачи: 13.09.2016

 
Институт физики микроструктур РАН — филиал Федерального исследовательского центра «Институт прикладной физики РАН» (ИФМ РАН) объявляет конкурсы на замещение вакантных должностей:
  • Младший научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов ИФМ РАН
    Срок подачи документов 2 месяца с момента публикации на сайте (13 сентября 2016)

Тематика исследований: Рентгеновская дифрактометрия полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур.

Задачи: Проведение исследований структурных и морфологических свойств полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов SiGe, A3B5, III-N методами рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рентгеновской рефлектометрии.

Критерии: Высшее образование. Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования: WebofScience — 40; Scopus — 55; Российский индекс научного цитирования — 60. Опыт работы на лабораторных рентгеновских дифрактометрах.

Заработная плата: 14589 р.

Претенденты представляют в конкурсную комиссию следующие документы:

  • личное заявление,
  • копии документов о высшем профессиональном образовании;
  • копии документов о присуждении ученой степени, присвоении ученого звания (при наличии);
  • сведения о научной (научно-организационной) работе за последние пять лет, предшествовавших дате проведения конкурса
 
Куда отправлять резюме: