Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters

Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП) солнечной энергии с толщиной базовых кристаллов 180?200 мкм, имеющих полированную фотоприемную поверхность и двухслойный тыльно-поверхностный рефлектор (ТПР), состоящий из слоев прозрачного оксида и алюминия, необходимо в качестве неметаллического слоя ТПР использовать проводящий прозрачный слой из индий-оловяного оксида (ITO) с интерференционной толщиной 0,25 мкм. Это обеспечивает коэффициент отражения ITO/Al ТПР в пределах 85 < R < 96 % для поступающей на тыльную поверхность Si-ФЭП фотоактивной компоненты солнечного излучения при практически нулевом вкладе сопротивления слоя ITO в последовательное сопротивление прибора. В случае Si-ФЭП с текстурой фотоприемной поверхности кристалла типа инвертированных пирамид, при которой специфика распространения света в кристалле обусловливает реализацию эффекта практически полного внутреннего отражения излучения от границы раздела Si/ITO, для минимизации потерь энергии фотоактивного излучения и сопротивления слоя ITO его толщину следует экспериментально оптимизировать в пределах значений 1?2 мкм независимо от толщины базового кристалла.

Прикрепленный файлРазмер
PDF icon fm154-06.pdf447.2 KB