Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells

It has been shown, that for developed single crystalline silicon solar cells (Si-SC) with base crystals thickness 180?200 ?m the optimal back surface reflector (BSR) is TiO2/Al with oxide layer thickness 0.18 ?m. At such BSR the reflection coefficient for photoelectric active sunlight reached to back surface of Si-SC at wavelengths 0,88?1,11 ?m is 81?92 % against of 71?87 % at direct contact Al to back surface of silicon base crystal. Показано, что для разрабатываемых монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП) солнечной энергии с толщиной базовых кристаллов 180?200 мкм наиболее оптимальным является тыльно-поверхностный рефлектор TiO2/Al с толщиной оксидного слоя 0,18 мкм. Коэффициент отражения фотоэлектрически активного солнечного излучения указанным рефлектором, достигающего тыльной поверхности таких Si-ФЭП при длинах волн 0,88?1,11 мкм, составляет 81?92 % в отличие от 71?87 % при непосредственном контакте Al с тыльной поверхностью базового кристалла кремния.

Причіплений файлРозмір
PDF icon fm144-23.pdf421.21 KB